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sram vs dram: 12 must-know facts
- sram于1963年由robert norman在fairchild semiconductor作为一种半导体双极器件发明。
- dram于1967年由robert dennard发明，是重要的计算机技术进步之一。
- sram主要固定在处理器或内存和处理器内部。
- dram固定在主板上。
- sram的继承者是dram，因为它更便宜。
- sram可供购买，但主要供系统构建商使用。
- dram的最早版本是ddr1，但只面向工业制造商，不面向消费者。另一方面，最新版本是ddr4，可供消费者和工业制造商使用。
- 当系统仍然连接电源时，sram将数据保存在内存中。
- dram需要定期刷新。
- sram是static random-access memory的缩写。
- dram是dynamic random access memory的缩写。
sram和dram都是随机访问存储器的类型。两者都是为不同的应用程序提供数据存储而发明的。静态随机访问存储器（sram）是一种在连接电源时将数据位存储在内存中的ram类型。另一方面，动态随机访问存储器（dram）将数据位存储在晶体管和电容器的单元中。
sram vs dram: side-by-side comparison
| sram | dram | |
|---|---|---|
| 是什么: | sram（静态随机存取存储器）是一种特定类型的存储器半导体。它使用一个锁存电路来存储数据。由于是静态的，sram不需要定期刷新以提高性能。 | dram（动态随机存取存储器）是一种提供数据存储的特定类型的ram，其存储在某个集成电路中的不同电容器中。 |
| 应用: | l2和l3的高速缓存单元都是sram的常见应用领域。 | 它通常用作计算机的主存储器。但这种类型的存储器不适合长期存储。 |
| 存储容量： | sram的存储容量较小。存储作为缓存。这种存储容量以mb为单位。 | dram具有较大的存储容量。它可以直接连接到cpu总线。易失性存储器的存储容量通常以gb为单位。 |
| 成本: | 与dram相比，sram更昂贵且成本效益较低。 | dram价格更便宜。 |
| 功耗: | sram的功耗较低。由于它将其电流方向更改为开关中的电流方向，而不是将功率直接泄漏到电容器中，因此没有电荷泄漏。 | dram的功耗较高。由于不完善的绝缘而造成电容器泄漏功率，需要定期刷新功率。 |
| 速度: | sram比dram更快，因为它具有片上存储器，可以具有较小的访问时间。 | dram比sram慢，因为它具有片外存储器。访问时间长。 |
| 密度: | 与dram相比，sram的密度较低。 | dram的密度较高。 |
| 易失性: | sram在接收电源时不需要任何额外的电荷，但如果没有电荷，数据很容易丢失。 | dram在活动时需要有一个主动电源以及频繁的电荷。 |
| 电荷泄漏: | sram没有任何电荷泄漏问题。 | dram存在电源泄漏问题，因此需要刷新电路来供电。 |
| 晶体管: | 只需要6个晶体管的简单存储块即可形成sram。 | 为了形成存储块，dram需要一个晶体管。 |
| 简易性: | 与dram相比，sram的模块更直接。它具有最简单的接口构建，可以轻松访问内存。 | 与sram相比，dram模块更复杂。 |
| 构建和设计: | sram的设计和构造更复杂，因为它使用不同类型的设计。 | dram的设计非常简单，因此易于构建。它只使用很少的晶体管和电容器。 |
| 放置区域: | sram放置在处理器或主内存与处理器之间。 | dram始终放置在主板上。 |
什么是sram？
sram（静态随机存取存储器）是一种主要使用触发器或锁存电路来存储每个数据位的ram（随机存取存储器）类型。sram是一种易失性存储器，即意味着当断电时会丢失数据。
sram的完整历史
1963年，罗伯特·诺曼在fairchild semiconductor international, inc发明了半导体双极sram。1964年，约翰·施密特在fairchild semiconductor发明了mos sram。
在其发明之后，sram成为cmos制造过程中任何技术的主要驱动力，自1959年cmos的发明以来。1965年，正在为ibm工作的尤金·施林和阿诺德·法伯决定使用隧道二极管锁存器和晶体管门创建一个硬接线的存储单元。
他们不得不用两个电阻和两个晶体管替换锁存器，这种配置被称为法伯-施林单元。本杰明·奥古斯塔和他的ibm团队于1995年决定在法伯-施林单元中使用一个16位硅存储芯片，该芯片包括64个电阻、4个二极管和80个晶体管。
与sram相比，dram模块更加复杂。
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sram的应用
- 数码相机。
- 汽车设备。
- 现代电子设备。
- 合成器。
- 硬盘缓冲。
- 计算应用。
- 打印机。
- 计算应用。
相比dram，sram可以在更多的数字应用中使用。使用sram的主要原因是为了创建一个内存缓存。
sram的特点
sram主要用作内存缓存。
- sram比dram更快。
- 功耗较低。
- 占用更多的空间。
- 主要用于一级和二级缓存。
- sram的周期时间比dram短，因为它不需要暂停。
| 优点！ | 缺点！ |
|---|---|
| sram功耗较低。 | sram存储容量很低。 |
| sram更快，意味着可以更快地访问信息或数据。 | 降低了存储器的密度。 |
| sram可以用于帮助创建速度敏感的缓存。 | 由于易失性，当没有电源时会丢失数据。 |
| 它在访问过程中不需要暂停，从而使其周期时间更短。 | 与dram相比，价格昂贵。 |
什么是dram？
dram（动态随机存取存储器）是一种用于直接存储每个数据位的半导体存储器。该存储单元具有一个基于mos（金属氧化物半导体）技术的晶体管和一个小型电容器。
大多数dram存储单元的设计使用晶体管和电容器，但其他存储单元只需要两个晶体管。使用电容器的存储单元，电容器可以被放电或充电。这两种状态代表着位值，通常称为0和1。
电容器会逐渐漏电，而无需对电容器上的数据进行干预。为了防止这种情况，dram需要一个定期重写电容器数据的刷新电路，将其恢复到原始电荷。
dram的历史
“the aquarius”是第二次世界大战期间在bletchley park使用的一种密码分析机器代码，用于进行硬连线动态分析。纸带被研究，并且其中大部分字符都被常常记住在动态存储器中。
这种存储器主要使用带有大容量的电容器。这些电容器被充电或放电。充电的电容器表示一个交叉（1），而未充电的电容器表示一个点（0）。由于电荷会逐渐丢失，因此需要定期的脉冲来充电。
最早的dram采用双极晶体管。因此，在性能方面它优于磁芯存储器，但无法与价格更低的主导磁芯存储器竞争。在早期的存储方案中，通常使用电容器。
1969年，加利福尼亚州圣尼维尔的advanced memory system公司商业化了mos dram芯片。该芯片后来被售给不同的组织。在这一年，霍尼韦尔要求英特尔制作他们已经开发出的3晶体管单元dram。在1970年，它成为了英特尔1102。这个英特尔芯片遇到了许多问题，迫使英特尔开始着手研发一种新的改进设计，并避免与霍尼韦尔发生冲突。
他们在1970年10月发布了英特尔1103，但是直到第五次修订之前，它们在产量方面存在问题。第一种dram具有多路复用的列和行。这种dram是由罗伯特·丹纳德发明的，于1973年发明。2001年，日本的dram制造商指责韩国的dram制造商倾销。
dram的应用
- 可用于网络。
- 当需要成本效益的ram时，dram是最好的选择。
- dram主要用于个人电脑。
- 它可以用于异步和同步应用的操作电池。
- 在计算机图形功能增强中，dram存储器是最好的选择。
dram的特点
- dram的速度较慢。
- dram数据的寿命较短。
- 它需要定期刷新。
| 优点！ | 缺点！ |
|---|---|
| 与sram相比价格便宜。 | 电源关闭后，数据会丢失。 |
| dram的结构非常简单。 | dram的功耗较高。 |
| 它具有更高的存储容量，从而使人们能够为其系统创建大容量的ram空间。 | 它速度较慢，因此访问信息或数据需要很长时间。 |
| dram比sram更便宜。 | |
| 它主要利用电路和逻辑，使得存储器模块的设置和使用变得容易。 | |
| dram不需要刷新存储器中的内容。 |
sram vs dram：哪个更好？
sram和dram在某些方面有一些主要的不同和相似之处。其中一个主要的不同之处在于，sram比dram更快，因为dram需要定期刷新已经存储在存储器中的数据。 sram较贵，因为一个简单的存储块需要6个晶体管，而dram较便宜，因为一个简单的存储块只需要一个晶体管。
sram和dram之间的主要区别是速度、性能、功能和其他特性等特点。在这两种ram中，由于其速度快，sram是适用于游戏等活动的最佳选择。
